Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 48

Por volta de 38% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

8.9 8.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

5.9 5.4

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1344 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns