RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2631
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link