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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
58
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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