RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
58
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
50
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2326
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link