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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En -61% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3372
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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