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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En -61% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2569
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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