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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
58
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
54
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2226
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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