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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
58
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,107.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
54
读取速度,GB/s
4,025.3
10.4
写入速度,GB/s
2,107.0
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2226
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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