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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
64
左右 -167% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
24
读取速度,GB/s
4,477.7
15.4
写入速度,GB/s
1,869.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2666
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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