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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
61
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
61
读取速度,GB/s
16.7
8.2
写入速度,GB/s
11.8
6.4
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
1813
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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