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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
17.7
写入速度,GB/s
1,557.9
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3321
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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