RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3321
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link