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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
11.5
15.4
写入速度,GB/s
6.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2666
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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