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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
4,595.2
16.1
写入速度,GB/s
2,168.2
9.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2607
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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