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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
9.9
写入速度,GB/s
2,404.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2572
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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