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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
64
Por volta de -167% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2666
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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