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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3857
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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