RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3857
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link