RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3857
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link