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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Teclast TLD416G26A30 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teclast TLD416G26A30 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
58
En -61% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2719
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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