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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
58
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
58
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2181
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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