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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
58
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
58
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2181
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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