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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
58
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3616
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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