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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17500
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17500
21300
Other
Descripción
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2319
2841
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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