RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сравнить
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17500
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17500
21300
Other
Описание
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2319
2841
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link