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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Puntuación global
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14200
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
21300
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2137
2895
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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