Comparación de la memoria RAM Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Puntuación global

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 35

En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.6 15.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.7 9.6

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2502 3007

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns