Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
    En 1.2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 35
    En -25% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.6 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.7 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.1 left arrow 16.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 13.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2502 left arrow 3007
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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