RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2502
3007
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link