Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 50
    En 32% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.3 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 50
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.3 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2665 left arrow 2512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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