RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
50
Скорость чтения, Гб/сек
17.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2665
2512
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link