RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2648
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link