Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Note globale
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Note globale
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 15.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,107.0 left arrow 11.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 58
    Autour de -107% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    58 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,025.3 left arrow 15.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,107.0 left arrow 11.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    670 left arrow 2648
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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