RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2648
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link