RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Compara
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
AMD R7416G2400U2S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R7416G2400U2S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
38
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
3260
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link