RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
AMD R7416G2400U2S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
AMD R7416G2400U2S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
38
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2148
3260
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link