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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2664
2824
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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