Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

総合得点

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 36

周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.8 15

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.9 11.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

36 33
読み出し速度、GB/s

15.0 15.8
書き込み速度、GB/秒

11.5 11.9
メモリ帯域幅、mbps

21300 21300

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2664 2824

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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