Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

総合得点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 40

周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.8 8.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 26
読み出し速度、GB/s

12.3 17.7
書き込み速度、GB/秒

8.9 14.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1789 3055

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

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