RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2477
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link