RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2477
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link