RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
50
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
50
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2424
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link