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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
50
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
50
读取速度,GB/s
9.8
13.5
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2424
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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