RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3754
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link