RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3019
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link