RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3019
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link