RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
51
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3518
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link