RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3494
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link