RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
51
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
18
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3836
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link