RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3836
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link