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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2566
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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