RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2566
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link